|
Трехмерные чипы от Samsung
Samsung Electronics заявила в четверг (13 апреля) о том, что разработала трехмерную технологию упаковки чипов, основанную на собственном WSP (wafer-level stack process) процессе.
WSP технология от Samsung использует “through silicon via” взаимосвязь для создания ряда маленьких смешанных чипов, которые можно использовать в мобильных телефонах и других устройствах. Первая 3 D схема, произведенная компанией, состоит из 16 гигабитного запоминающего устройства, которое состоит из восьми 2 гигабитных NAND чипов, сложенных один на одном. Южно корейский Samsung говорит, что эта технология намного компактнее имеющейся на сегодняшний день multi-chip packages (MCPs).
Первоначально Samsung планирует применять WSP технологию для производства NAND памяти для мобильных устройств и другой бытовой электроники уже в начале 2007. В дальнейшем компания намеревается применить данную технологию в системах более высокого уровня, таких как system-in-package (SiP), DRAM память с большим объемом, включая память для высокопроизводительных серверов.
При создании чипов по технологии MCPs слои соединяются при помощи маленьких проводов, что требует расстояния между слоями в 10 микрон и горизонтального пространства вокруг границы в сотни микрон для размещения проводных соединений.
WSP, в свою очередь, формирует отверстия прямо в кремнии, что позволяет соединять схемы напрямую и избежать необходимости в огромном пространстве между схемами. В связи с этим компания может выпускать аналогичные MCP решения, которые тоньше на 30% и используют подложки на 15 % меньше по площади.
